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2014.10.03 04:38

2012 SID Display Week, Boston

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2012 SID Display Week, Boston, Massachusetts USA

June 5-8, 2012 (Tuesday - Friday), Boston Convention and Exhibition Center

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<Poster Session : P14>

a-IGZO TFT Based Pixel Circuits for AM-OLED Displays

Hyunseung Jung, Yongchan Kim, Youngseok Kim, Charlene Chen, Jerzy Kanicki, and Hojin Lee

Abstract

In this paper, we analyze application of amorphous Indium–Gallium–Zinc–Oxide thin film transistors (a-InGaZnO TFTs) to voltage-driven pixel electrode circuit that could be used for 4.3-in. wide video graphics array (WVGA) full color active-matrix organic light-emitting displays (AM-OLEDs). Simulation results, based on a-InGaZnO TFT and OLED experimental data, show that both device sizes and operational voltages can be reduced when compared to the same circuit using hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) TFTs. Moreover, the a-InGaZnO TFT pixel circuit can compensate for the threshold voltage variation (ΔVTH) of driving TFT within acceptable operating error range.

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2013 AM-FPD, Kyoto, Japan

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2013 AM-FPD, Kyoto, Japan

July 2-5, 2013 (Tuesday - Friday), Ryukoku Universiti Avanti Kyoto Hall

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<Poster Session : P4>

A Novel a-InGaZnO TFT Based Voltage Programmed Pixel Circuit to Compensate Threshold Voltage and Mobility Variations

Yongchan Kim, Jerzy Kanicki, and Hojin Lee

Abstract

In this paper, we proposed a novel voltage-programmed pixel circuit based on amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistor (a-InGaZnO TFT) for active-matrix organic light-emitting display (AMOLED) with an enhanced electrical stability and uniformity. Through an extensive simulation work based on a-InGaZnO TFT and OLED experimental data, we confirm that the proposed pixel circuit can compensate for both mobility variation and threshold voltage shift of the driving TFT.

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2013 iMiD, Daegu, Republic of Korea

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2013 iMiD, Daegu, Republic of Korea

August 26-29, 2013 (Monday - Thursday), EXCOAugust 26-29, 2013 (Monday - Thursday), EXCO

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<Poster Session : P2-54>

A Novel P-type LTPS Pixel Circuit for AMOLEDs with Dual-Compensation Function

Yeonkyung Kim, Yongchan Kim, and Hojin Lee

Abstract

In this paper, we proposed a novel voltage-programmed pixel circuit with p-type low temperature polycrystalline-silicon thin film transistor (LTPS TFT) for active-matrix organic light-emitting display (AMOLED) with an enhanced electrical stability and uniformity. Through an extensive simulation work based on p-type LTPS TFT and OLED experimental data, we confirm that the proposed pixel circuit can compensate for both mobility variation and threshold voltage shift of the driving TFT.

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2014.10.03 04:38

2013 SSDM, Fukuoka, Japan

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2013 International conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Fukuoka, Japan

September 24-27, 2013 (Tuesday - Friday), Hilton Fukuoka Sea Hawk

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<Oral Session : K-5-1>

Tunable Bandwidth of Flexible Far-Infrared Filter using Metamaterial based Split-Ring Resonators

Hyunseung Jung and Hojin Lee

Abstract

In this paper, we present numerical and experimental studies of bandwidth tunable metamaterials using an overlap distance manipulation. Micro scale split-ring resonator (SRR) arrays were fabricated and characterized on the flexible polyimide films. We confirmed that the stop bandwidth of the fabricated far-infrared (Far-IR) filter can be tunable from 0.85 to 1.95 THz by longitudinal electric couplings between top and bottom SRRs as expected from simulation results.

 

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2014.10.24 20:36

2014 iMiD, Daegu, Republic of Korea

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2014 iMiD, Daegu, Republic of Korea

August 26-29, 2014 (Tuesday - Friday), Daegu EXCO

iMiD 2014 DCIM.jpg





















<Oral Session : 41-1>

A Novel a-IGZO Pixel Circuit for AMOLEDs with Source Data Input

Daejung Kim, Yeonkyung Kim, Yongchan Kim, Heyoung Kang, and Hojin Lee


Abstract

In this paper, we proposed a novel voltage programmed pixel circuit with threshold voltage compensation. With the proposed pixel circuit, we achieved precisely controlled OLED currents against threshold voltage variations of driving TFT while the number of signal lines is reduced with the extended aperture ratio.


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